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次世代半導体素材ＧａＮの挑戦
２２世紀の世界を先導する日本の科学技術 |
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内容紹介「良いイノベーション」を生むためにどのような取り組みを行っているか。次世代の半導体素材などの研究を、企業や他大学、国立の研究所と共同で行うノーベル物理学賞受賞者が、その取り組みを紹介する。 著者紹介１９６０年静岡県生まれ。名古屋大学大学院工学研究科博士後期課程単位取得満期退学。工学博士。同大学教授。２０１４年、ノーベル物理学賞を受賞。同年、文化勲章を受章。 内容一覧
蔵書情報
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